Intel y STM lanzan las primeras memorias de cambio de fase
La dupla de empresas comenzó a distribuir entre sus clientes las primeras muestras de dispositivos de memoria PCM (Phase Change Memory) de 128 Mbit. Esta nueva tecnología de memoria no volátil ofrece mayor velocidad de lectura y escritura que las memorias flash NOR y NAND, a la vez que presenta un menor consumo. Pero su desventaja radica en la sensibilidad a las altas temperaturas.
La memoria de estado sólido es una pieza cada vez más crítica de la tecnología, a medida que aumenta la demanda por almacenamiento de alta velocidad en computadoras y equipos electrónicos. La memoria de estado sólido no sólo ofrece una operación más veloz, sino también menor consumo energético en comparación con los discos rígidos, los cuales requieren más energía para operar sus partes móviles.
Los avances en tecnologías de memoria de estado sólido nos han llevado desde las viejas épocas de la tecnología ROM hasta los recientes avances en memoria flash NOR y NAND, utilizada en los dispositivos de medios más comunes.
Intel y STMicroelectronics recientemente anunciaron la distribución de los primeros prototipos de memoria de cambio de fase (PCM, Phase Change Memory) a ciertos clientes para que realicen el testeo preliminar de esta nueva tecnología.
La memoria PCM es similar a la RAM, pero con las características de no volatilidad propias de la tecnología de memoria flash. PCM permite leer y escribir datos a mayor velocidad que la memoria flash, a la vez que requiere menos energía para realizar estas operaciones.
El prototipo de producto desarrollado por Intel y STMicroelectronics lleva el nombre código “Alverstone”, y se trata de un dispositivo de 128 Mbit fabricado bajo un proceso de 90 nm. A diferencia de las memorias flash NOR y NAND, cuya duración admite respectivamente 100.000 y 1.000.000 de ciclos antes de comenzar a degradarse, los productos de memoria PCM presentan una tolerancia de alrededor de 100 millones de ciclos antes de que los efectos de la degradación se hagan evidentes.
Una de las principales desventajas de PCM es que la degradación ocurre bajo altas temperaturas, lo cual puede causar pérdidas de datos debido a la forma en que la tecnología escribe en las celdas de memoria.
Intel no está poniendo toda su capacidad de investigación en almacenamiento de estado sólido sobre una única tecnología. La semana pasada, la compañía anunció una inversión en Nanochip, una nueva empresa que se propone llevar la memoria de estado sólido a nuevos niveles de capacidad. Nanochip está trabajando en una tecnología de almacenamiento basada en MEMS (microelectromechanical systems), la cual es capaz de colocar 125 GB de almacenamiento en una pulgada cuadrada. Nanochip asegura que esta tecnología es capaz de escalar mucho mejor que PCM y que ofrece una mayor tolerancia a las condiciones térmicas en las cuales esta última puede fallar.
