内部RAM可以理解为一个数据单元格的行和列的表。 要访问这些细胞中一个特定的数据,存储器控制器必须提供的数据在哪里的“坐标”。
这意味着整个过程中得到的数据存储单元,通过坐标“列”(CAS)的,给予“排名”(RAS)的坐标,并期望得到所要求的数据。 在这些过程中有一定的“时间”为“稳定”的电子信号和响应每个请求,你需要的内存。 这些时间有所不同,具体取决于内存的质量。
FSB(前端总线)。
这是“行”的处理器,内存控制器和内存本身之间的沟通。
系统时钟。 兆赫(MHz)计量。
有一个系统的组成部分,位于主板上的,这是时钟。 这发出了一个信号的所有组件的计算机到一个特定的节奏。 如果系统时钟在100MHz运行,这意味着它每秒产生100万个时钟周期。
这些时钟周期处理的计算机的每一个动作都标有一个定时。 当处理一个请求的内存控制器可以告知这些数据,例如,6个时钟周期的处理器。 这是可能的,CPU和其他组件可以运行率大于或小于时钟标记。 这些组件需要同步的时钟信号的乘法因子。
例如,当我们有100MHz和400MHz的CPU时钟,每个设备都会知道,每一个系统时钟周期等于4个时钟周期的CPU和调整,以他们的行动同步。 我们必须明白,当我们超频的系统时钟,所有部件都受到或大或小的程度上取决于倍增因子。 我们还必须考虑系统的“落”时,最慢的组件是无法跟上。 例如,有两种方式,调整处理器的速度。 其一是设置时钟兆赫。
另一种是改变分配给它的乘数。 从逻辑上讲,时钟设置会影响其余的组件。 为了能够提高计算机的性能,我们必须考虑一整套组件和其局限性。 也就是说,具有133MHz外频和15的乘数为微计算机处理器运行在1995MHz。 然而,一台计算机将是速度与166MHz的外频与倍频为11.5,虽然处理器只运行在1909MHz。
CAS(列地址选通)。
CAS延迟是一个内存速度的参数。 是指需要访问特定列中的数据RAM的时钟周期数。 是一个后期的措施,使越低,表明更快的内存。 有时缩写为CL(CAS延迟)或CAS。
RAS(行地址选通)。
潜伏期是等价的概念RAS到CAS,但指的是行而不是列。
计时。 延迟。
是引导我们对内存的性能数据。 这些数据,我们不知道的条件下,制造商已获得这些好处因机器配置根据这样的结果。 在实践中,可以修改这些福利取决于质量的内存,芯片组,主板和其他内存模块,可以安装。 这个数据是通常的形式为:ABCD的东部。
我们不应该让所有的时间,我们始终把数据从左至右,因为它是秩序的重要性。 这些数字越小,性能就越好,因为他们延误。
意思是:(CAS延迟) - 乙(CAS延迟,RAS) - ℃(RAS预充电) - D类(TRAS) - (翻译)的时间ç,几乎没有对内存性能的影响。 refencia前在“突发模式”运行时,内存延迟。
时序D是RAS预充电时间,我们设置等于或以上的A + C +2得到一个稳定的团队。 时序E是在物理坐标转换为逻辑坐标所需的时间。 即,找到那里的请求数据的内存模块。 很有道理,当我们有多个内存模块,不应该是第一季度,延迟将造成主板上的芯片组,而不是由内存模块本身。
DDRAM的(双数据传输速率随机存取记忆体)。
记忆是从SDRAM,交易的信息,无论是在时钟信号的上升时间和下降时间,派生的类型。 因此,与一个133MHz的时钟速度,我们得到了266MHz的有效速度。
DDRAM中回忆延迟的原因可能有解释,例如,2.5个时钟周期有2个或3此外,作为与SDRAM。
双通道。
这是一个新的DDR内存工作方式控制器提供的CPU两个独立的通道,同时访问数据。 因此,理论带宽增加一倍。 这就要求填写2个模块的内存银行。
当我们买双通道,制造商保证,对包中包含的模块,享受相同的计时。 因此,提高性能板配置工作在双通道。
的O / C(超频)。
提高系统运行速度的方法,使用组件(内存,处理器,主机板,VGA)的规格。 它可以通过改变硬件和软件的设置。
访问时间。 据测定,在纳秒(ns)。
访问时间是从时间测量内存模块收到数据请求时,这些数据是可用的时间。 较低的访问时间,更快的内存。
Vcore电压。
处理器的工作电压。 有默认值取决于处理器和最小值和最大值之间,我们可以移动,以降低温度,迫使一个微型或超频。


















































